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Leti在EVG晶圓鍵合機(jī)實(shí)現(xiàn)首 個(gè)300毫米晶圓對(duì)晶圓間距為1微米直接混合鍵合

發(fā)布時(shí)間:2020-05-22

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       EV集團(tuán)(EVG)是面向MEMS,納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)的晶片鍵合晶圓鍵合機(jī)和光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商,而CEA Tech研究所Leti今天宣布了全球首次在晶圓鍵合機(jī)成功實(shí)現(xiàn)300mm的晶圓間直接混合鍵合,其間距尺寸連接小至1μm(微米)。這一突破還實(shí)現(xiàn)了小至500nm的銅焊盤。
        Leti的無塵室使用EVG的全自動(dòng)GEMINI®FBXT熔融晶片鍵合系統(tǒng)晶圓鍵合機(jī)演示了銅/氧化物混合鍵合工藝,這是3D高密度IC應(yīng)用的關(guān)鍵推動(dòng)力。該結(jié)果是在Leti領(lǐng)導(dǎo)的IRT Nanoelec程序的框架中獲得的。EVG于2016年2月加入該研究所的3D集成聯(lián)盟。
晶圓鍵合為3D器件堆疊
       提供了一個(gè)可行的過程半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已成為一種日益可行的方法,可以實(shí)現(xiàn)器件密度和性能的不斷提高。使用晶圓鍵合機(jī)進(jìn)行晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在晶圓鍵合機(jī)鍵合晶片上的互連裝置之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸,并最小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。

演示結(jié)果
       在Leti演示中,頂部和底部300毫米晶圓直接在GEMINI FB XT自動(dòng)化生產(chǎn)熔融粘合系統(tǒng)中粘合,該晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)融合了EVG專有的SmartView®NT面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)器和對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊,可實(shí)現(xiàn)原位鍵合后紅外對(duì)準(zhǔn)測(cè)量。該系統(tǒng)的重疊對(duì)準(zhǔn)精度總體上在195nm(3-sigma)以內(nèi),平均對(duì)準(zhǔn)結(jié)果很好地集中在15nm以下。整個(gè)300毫米鍵合晶片堆疊以及特定管芯的烘烤后聲學(xué)顯微鏡掃描證實(shí),間距為1μm至4μm且具有最佳銅密度的無缺陷鍵合界面。


300毫米晶片1微米間距鍵合
       Leti的晶圓鍵合機(jī)鍵合工藝工程負(fù)責(zé)人Frank Fournel表示:“據(jù)我們所知,這是首次報(bào)道的1.5微米以下間距的銅混合鍵合可行性的證明。” “這次最新的演示代表了實(shí)現(xiàn)高密度3D芯片堆疊并最終商業(yè)化的真正突破和重要一步。”
       Leti與他人合著的一篇論文總結(jié)了該演示,該論文的標(biāo)題為“ 1 μm間距直接混合鍵合,晶圓對(duì)晶圓覆蓋精度小于300nm”,該論文在2017年IEEE S3S大會(huì)上發(fā)表。
       企業(yè)技術(shù)開發(fā)和IP主管Markus Wimplinger表示:“ 3D集成有望提高設(shè)備密度和帶寬,并降低從下一代CMOS圖像傳感器和MEMS到高性能計(jì)算的各種應(yīng)用的功耗。在EV Group。“作為3D集成研究與開發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)者,Leti在將這一關(guān)鍵技術(shù)推向行業(yè)采用和商業(yè)化方面一直處于前沿。EVG擁有這一愿景,我們很高興在支持Leti在3D集成方面的最新成就中發(fā)揮了作用。”
       利用EVG的高通量XT框架平臺(tái)和設(shè)備前端模塊(EFEM),GEMINI FB XT自動(dòng)化生產(chǎn)熔融粘合系統(tǒng)經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)超高吞吐量和生產(chǎn)率。集成到系統(tǒng)中的SmartView NT對(duì)準(zhǔn)器可提供業(yè)界領(lǐng)先的晶片到晶片堆疊對(duì)準(zhǔn)精度(小于200nm,3-sigma)。此外,GEMINI FB XT可以容納多達(dá)六個(gè)預(yù)處理和后處理模塊,用于表面準(zhǔn)備,調(diào)節(jié)和計(jì)量步驟,例如晶圓清洗,等離子體活化對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證,脫膠(允許將預(yù)粘合的晶圓自動(dòng)分離并重新粘合) -必要時(shí)進(jìn)行處理)和熱壓粘合。


GEMINI_FB_XT_鍵合機(jī)

關(guān)于萊蒂(法國(guó))

       Leti是CEA Tech的技術(shù)研究所,是微型技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,可為工業(yè)提供智能,節(jié)能和安全的解決方案。Leti成立于1967年,是微技術(shù)和納米技術(shù)的先驅(qū),可為全球公司,中小型企業(yè)和初創(chuàng)企業(yè)量身定制差異化的應(yīng)用解決方案。Leti應(yīng)對(duì)醫(yī)療保健,能源和數(shù)字遷移方面的重大挑戰(zhàn)。從傳感器到數(shù)據(jù)處理和計(jì)算解決方案,Letti的多學(xué)科團(tuán)隊(duì)利用世界一流的預(yù)工業(yè)化設(shè)施提供扎實(shí)的專業(yè)知識(shí)。該研究所位于法國(guó)格勒諾布爾,擁有1,900多名員工,2,700項(xiàng)專利組合,91,500平方英尺的無塵室空間和清晰的知識(shí)產(chǎn)權(quán)政策,并在硅谷和東京設(shè)有辦事處。萊蒂(Leti)已創(chuàng)立了60家創(chuàng)業(yè)公司,并且是卡諾學(xué)院(Carnot Institutes)網(wǎng)絡(luò)的成員。
       CEA Tech是法國(guó)替代能源和原子能委員會(huì)(CEA)的技術(shù)研究部門,該委員會(huì)是創(chuàng)新研發(fā),國(guó)防與安全,核能,工業(yè)和基礎(chǔ)科學(xué)技術(shù)研究的關(guān)鍵參與者,被湯森路透評(píng)為第二大全球創(chuàng)新研究機(jī)構(gòu)。CEA Tech利用獨(dú)特的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)文化和無與倫比的專業(yè)知識(shí)來開發(fā)和傳播行業(yè)新技術(shù),從而幫助創(chuàng)造高端產(chǎn)品并提供競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

關(guān)于EV集團(tuán)(EVG)

       EV Group(EVG)是制造半導(dǎo)體,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),化合物半導(dǎo)體,功率器件和納米技術(shù)器件的設(shè)備和工藝解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合機(jī),薄晶圓處理,光刻/納米壓印光刻(NIL)和計(jì)量設(shè)備,以及光刻膠涂布機(jī),清潔劑和檢查系統(tǒng)。EV Group成立于1980年,為全球范圍內(nèi)的精致的全球客戶和合作伙伴提供服務(wù)并提供支持。

關(guān)于納米電子技術(shù)研究所(IRT)

       由CEA-Leti領(lǐng)導(dǎo)的納米電子技術(shù)研究所(IRT)在信息和通信技術(shù)(ICT)領(lǐng)域,特別是微電子和納米電子領(lǐng)域進(jìn)行研究和開發(fā)。IRT Nanoelec總部位于法國(guó)格勒諾布爾,利用該地區(qū)久經(jīng)考驗(yàn)的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)來創(chuàng)造可為未來納米電子提供動(dòng)力,推動(dòng)新產(chǎn)品開發(fā)并激發(fā)現(xiàn)有技術(shù)的新應(yīng)用(如物聯(lián)網(wǎng))的技術(shù)。在IRT Nanoelec上進(jìn)行的研發(fā)提供了有關(guān)3D集成和硅光子學(xué)等新興技術(shù)將如何影響集成電路的早期見解。

       IRT納米電子從法國(guó)國(guó)家援助中受益于“ Avenir計(jì)劃投資”,編號(hào)為ANR-10-AIRT-05。

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