EVG光刻機EVG®610是一款緊湊型多功能研發系統，可處理零碎片和最大200 mm的晶圓。

一、簡介

       EVG光刻機EVG610支持各種標準光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準方式。此外，該系統還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶，非常適合大學和研發應用。

二、EVG光刻機應用

       MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導體等方面的圖形光刻應用。

三、EVG光刻機特征

      晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸

      頂部和底部對準功能

      高精度對準

      自動楔形補償序列

      電動的和程序控制的曝光間隙

      支持最新的UV-LED技術

      最小化系統占地面積和設施要求

      分步流程指引

      遠程技術支持

      多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同語言）

     敏捷的處理和轉換重新加工

      臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面

      附加功能：

         鍵合對準

         紅外對準

         納米壓印光刻（NIL）

四、技術參數

1.掩模版-基板-晶圓尺寸

       掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸

       基片/晶圓尺寸：100mm/150mm/200mm

       晶圓厚度：高達10mm

2.對準模式

       頂部對準精度：≤ ± 0,5 μm

       底部對準精度：≤ ± 2,0 μm

       紅外對準模式：≤ ± 2,0 μm/取決于基片的材料

3.頂部顯微鏡

       移動范圍1：100mm（X軸：32-100mm；Y軸：-50/+30mm；）

       移動范圍2：150mm（X軸：32-150mm；Y軸：-75/+30mm；）

       移動范圍1：200mm（X軸：32-200mm；Y軸：-100/+30mm；）

       可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環形燈的暗場物鏡，可以增加對比度

4.底部顯微鏡

       移動范圍1：100mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

       移動范圍2：150mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

       移動范圍1：200mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

       可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環形燈的暗場物鏡，可以增加對比度

5.曝光器件

（1）波長范圍：

       NUV：350 - 450 nm

       DUV：低至200 nm (可選)

（2）光源：

       汞燈350W , 500W UV LED燈

（3）均勻性：

       150mm：≤ 3%

       200mm：≤ 4%

（4）濾光片：

       汞燈：機械式

       UV LED：軟件可調

6.曝光模式

       接觸：硬、軟接觸，真空

       曝光間隙：1 - 1000 μm

       線寬精度：1μm

       模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

       可選：內部，浸入，扇形

7.可選功能

       鍵合對準精度：≤ ± 2,0 μm

       納米壓抑光刻（NIL）精度：≤ ± 2,0 μm

       納米壓抑光刻（NIL）軟印章分辨率：≤ 50 nm圖形分辨率

8.設施

       真空：< 150 mbar

       壓縮氣體：6 bar

       氮氣：可選2或者6 bar

       排氣要求：汞燈需要；LED不需要

9.系統方式

       系統：windows

       文件分享和軟件備份

       無限程序儲存，參數儲存在程序內

       支持多語言，含中文

       實時遠程支持，診斷和排除故障

10.楔形補償

       全自動- 軟件控制

11.規格

       占地面積：0.55m2

       高度：1.01m

       重量：約250kg

       納米壓印分辨率：≤ 40 nm（取決于模板和工藝）

       支持工藝：Soft UV-NIL

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